【電子】存儲跌價即將結束，25Q2價格有望逐步回升——半導體行業跟蹤報告之二十八（劉凱/黃筱茜）

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NAND Flash合同價有望於25Q2開始上漲，漲價趨勢有望持續至25年底

TrendForce集邦谘詢認為，NAND Flash市場供需結構將有望在25年下半年顯著改善，包含原廠減產、智能手機庫存去化、AI及DeepSeek效應等因素將推升NAND Flash需求，從而緩解供過於求的局麵，預期下半年將迎來價格回升。根據閃徳資訊，隨著NAND Flash廠商積極減產以維持供需秩序，NAND Flash下遊有望於2025年第二季度進入補庫存周期，NAND Flash合同價也有望於2025年第二季度開始上漲，漲價趨勢至少可持續至2025年底，NAND Flash下半年有望轉為供不應求。此外，自2024年第四季起，中國政府持續推出的以舊換新補貼政策有效地刺激智能手機銷量，加速NAND Flash庫存去化速度。智能手機品牌廠有機會在2025年第二季擴大低價庫存，帶動需求動能。

DRAM現貨價或已接近底部

根據閃存市場，2025年第一季度受2024年末庫存調整影響，消費級DRAM價格小幅下跌（約3-5%），企業級產品因需求穩定保持平穩；2025年第二季度AI芯片缺貨緩解帶動HBM（高帶寬內存）配套DRAM需求，價格環比上漲5-8%；2025年第三季度傳統消費電子旺季備貨啟動，疊加手機廠商提前采購LPDDR6，價格漲幅將擴大至10-12%；2025年第四季度供需趨於平衡，價格高位震蕩，全年綜合漲幅預計達15-18%。根據閃徳資訊，2025年2月24日至2025年2月28日當周，DRAM市場保持穩定，交易較前兩周有所提升。D3、D4現貨供應充足，價格大幅上漲的可能性較低。D5上周現貨顆粒價格有所上調，但加工條價格上漲空間有限，且市場對D5的消耗仍未達到預期水平，短期價格波動有限。

三星發布9100 Pro PCIe 5.0 SSD， 美光1DRAM內存開始出貨

三星發布了9100 PRO PCIe 5.0 NVMe SSD。9100 PRO SSD采用了PCIe 5.0 x4接口，外形為M.2 2280規格，提供了1TB、2TB、4TB和8TB四種容量可選。美光宣布，已向生態係統合作夥伴及部分客戶提供基於1𛞣€第六代（10nm級）DRAM節點的DDR5內存樣品。基於1𛞧š„16Gb DDR5產品DDR5內存速度可達9200MT/s，較上一代提升15%，可滿足數據中心、端側AI設備對高性能計算的需求。

三星將使用長江存儲專利技術

據韓國媒體ZDNet Korea 2025年2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行製造。該報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權，主要由於目前長江存儲在“混合鍵合”技術方麵處於全球領先地位。三星經過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經無法再避免長江存儲專利的影響。

風險分析：半導體需求不及預期風險、宏觀經濟不如預期風險、行業競爭加劇風險。

發布日期：2025-03-03

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